在恩智浦公司大获得顺利并获得普遍部署应用于的i.MX平台中，近期一代的不具功率效率和全功能的应用于处理器正在使用28nmFD-SOI工艺生产。新的i.MX7系列使用了32位ARMv7-A内核，主要面向功率效率至关重要的标准化嵌入式应用、电子阅读器、医疗、可穿着和物联网市场。
而其新的i.MX8系列使用了64位ARMv8-A内核，主要面向汽车应用于，尤其是驾驶员信息系统，以及高性能标准化嵌入式应用和高级图形应用于。 自从飞思卡尔于2001年首次发售i.MX产品线以来，至今为止，早已销售了六代产品，i.MXSoC的总出货量早已多达2亿颗。今天，这些SoC被部署在3500万辆以上的汽车中，它们不仅是电子阅读器市场的领导者，并在标准化嵌入式应用中获得广泛应用。
但是，i.MX7和i.MX8产品线针对的市场领域相比之下经常出现了显然上的转变，虽然高性能大自然是必需的，但是这次，i.MX7和i.MX8更为侧重的是功率效率。 为什么改向FD-SOI工艺？ 芯片生产的重点总有一天是成本。
从28nmHKMG工艺切换到14nmFinFET工艺，将不会减少50%的成本，这个代价有一点吗？虽然FinFET能构建令人印象深刻印象的性能数据，但是，对面向物联网、嵌入式和汽车应用于的应用于处理器来讲，除了注目性能数据之外，还必须考虑到以下事项： 什么时候必须高性能，它的用于方式是什么？ 什么时候最必须考虑到节约能源效果？ RF和仿真特性是怎么被构建的？ 芯片不会在什么样的环境条件下运营？ 总体生产风险有多大？ 事实上，恩智浦和之前的飞思卡尔公司在SOI上都具有极深的专业知识。在过去十年中，飞思卡尔曾多次基于部分消耗SOI工艺研发了20多款处理器，恩智浦在低电压应用于中仍然是部署SOI技术的先行者，也享有几十个基于SOI工艺的产品线。所以，我们大家都很确切SOI将怎么协助我们获得功耗和性能上的战略均衡。
FD-SOI只是早已应用于许久的SOI技术的近期技术，这次的设计流程和基板CMOS工艺完全完全相同，但是却可以使用超薄的SOI晶圆，同时还有一些诸如胜偏压的额外益处。 当总结了新的i.MX处理器必须考虑到的所有因素之后，很似乎，FD-SOI非常适合这款新的处理器。 FD-SOI：为功耗、性能而设计，且好比于此 对于我们的设计师而言，下面就是为什么FD-SOI是针对大大变化的市场需求带给的工程挑战的准确解决方案的原因。
在功耗方面，你可以减少供电电压（Vdd）-这样一来之后可以较少消耗一些电能-同时维持某种程度出色的性能。再行再加FD-SOI所不具备（而FinFET所不具备）的动态偏移偏压技术（相反胜偏压可以提升性能，偏移胜偏压可以减少漏电），你可以构建相当大的工作范围。 通过大幅度降低漏电，偏移胜偏压（RBB）可以让您在非常低的电压和长温度范围内构建较好的功耗-性能特性。
这一点对物联网产品尤其最重要，因为物联网产品的应用于场景是，在短时间的高性能应用于活动之后之后长时间正处于十分低功耗的静态模式下。我们可以通过相反胜偏压（FBB）技术符合这些高性能拒绝，同时因为我们可以动态地实行胜偏压技术，所以我们可以在线动态地登录物联网产品规格以符合变化的工作阻抗市场需求。 物联网设备一般都不具备较多的仿真和射频组件，它们无法像芯片的数字组件那样构建工艺尺寸的等规模削减。
此外，仿真和射频组件对电压变化十分脆弱。同时，一个十分最重要的拒绝是，在数字组件部分展开大负荷且忽然的信号电源操作者时，芯片的仿真和射频组件部分会受到数字部分的影响。
我们的仿真/射频设计工程师所考虑到的主要因素还包括增益、给定、多变性、噪声、功耗和抵抗力。之前他们用于专门的技术来超过这些拒绝，现在有了FD-SOI技术，他们的工作显得更容易多了，并且可以构建更优越的仿真性能。
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